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Ti3C2电极材料的密度泛函理论计算
文献摘要：
研究H—,—O—,F—三种基团在Ti3C2表面的吸附,通过密度泛函理论模拟计算吸附后结构的电子性质和量子电容.结果表明:3个相邻C原子中心处的正上方是最佳吸附位;基团吸附可调制Ti3C2的电子结构;Ti3C2表面吸附H—基团的量子电容提升效果最好,且在负偏压下具有较高的电荷积累能力.
文献关键词：
电子结构;量子电容;密度泛函理论
中图分类号：
作者姓名：
司雪;李卓;王思奇;杨鑫林;佘维汉;徐强;杨光敏
作者机构：
长春师范大学 物理学院,长春 130032;长春工程学院 勘查与测绘学院,长春 130012
文献出处：
引用格式：
[1]司雪;李卓;王思奇;杨鑫林;佘维汉;徐强;杨光敏-.Ti3C2电极材料的密度泛函理论计算)[J].吉林大学学报（理学版）,2022(01):163-166
A类：
B类：
Ti3C2,电极材料,密度泛函理论计算,基团,过密,理论模拟,附后,电子性质,质和量,量子电容,正上方,电子结构,表面吸附,提升效果,负偏压,电荷积累
AB值：
0.382269
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