典型文献
二维As-SnS2垂直堆叠异质结的电子结构及光学性质
文献摘要：
基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了二维As-SnS2垂直堆叠异质结的几何结构、电子结构和光学性质.研究发现,AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结分别为间接带隙(0.361 eV)和直接带隙(0.323 eV)的半导体,均具有Ⅱ型能带排列的特点,利于分离光生电子-空穴对,提高光能量的利用;施加张、压应变均能有效减小AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结的带隙;异质结中As层表现为n型掺杂半导体,而SnS2层表现为p型掺杂半导体;AA(AB)堆叠As-SnS2异质结中,As层向SnS2层的电荷转移为0.018 e(0.023 e),As-SnS2异质结界面上电荷形成内建电场,加速分离光生载流子.此外,AA堆叠和AB堆叠As-SnS2异质结在可见光和紫外光范围内的吸收系数均非常高,可望作为紫外-可见光电子器件的候选材料.
文献关键词：
As-SnS2异质结;Ⅱ型能带排列;光学性质;密度泛函理论
中图分类号：
作者姓名：
李仁政;呙钰婷;易金桥;张腾;李强;任达华
作者机构：
湖北民族大学信息工程学院,湖北恩施445000;湖北民族大学新材料与机电工程学院,湖北恩施445000
文献出处：
引用格式：
[1]李仁政;呙钰婷;易金桥;张腾;李强;任达华-.二维As-SnS2垂直堆叠异质结的电子结构及光学性质)[J].武汉大学学报（理学版）,2022(02):163-170
A类：
B类：
SnS2,堆叠,异质结,基于密度,密度泛函理论,第一性原理方法,几何结构,电子结构和光学性质,AA,AB,带隙,eV,带排,光生电子,空穴,光能,电荷转移,结界,内建电场,光生载流子,结在,可见光,紫外光,吸收系数,可望,光电子器件,选材
AB值：
0.251711
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