典型文献
电子束光刻"自主可控"EDA软件HNU-EBL
文献摘要：
为模拟和优化电子束光刻(Electron Beam Lithography,EBL)工艺过程,提高电子束光刻版图加工质量,依托湖南大学(Hunan University,HNU)开发了一套电子束光刻的"自主可控"国产电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)软件HNU-EBL.该软件实现了以下主要功能:1)基于Monte Carlo方法计算电子束在光刻胶和衬底中的散射过程与运动轨迹;2)基于多高斯加指数函数模型计算拟合出电子束散射的点扩散函数;3)基于GDSII光刻版图文件矩阵化,进行邻近效应、雾效应等校正计算,优化电子束曝光剂量;4)基于卷积计算,计算出给定曝光剂量下的能量沉积密度,并计算出边缘放置误差等光刻加工质量关键指标.基于该软件,通过异或门(Exclusive OR,XOR)集成电路的光刻版图算例,计算在聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)光刻胶和硅衬底中10 kV电子束的光刻工艺过程.通过对比电子束邻近效应校正前后的显影版图,验证了该软件的有效性.在完全相同的计算硬件和算例条件下,与主流同类进口EDA软件进行了对比,证实了在同等精度下,本软件具有更高的计算效率.已建立网站,将HNU-EBL软件免费授权给EBL用户使用.
文献关键词：
电子束光刻;计算光刻;Monte Carlo方法;邻近效应校正;EDA软件
中图分类号：
作者姓名：
姚文泽;徐宏成;赵浩杰;刘薇;侯程阳;陈艺勤;段辉高;刘杰
作者机构：
湖南大学电气与信息工程学院,湖南长沙 410082;湖南大学机械与运载工程学院,湖南长沙 410082
文献出处：
引用格式：
[1]姚文泽;徐宏成;赵浩杰;刘薇;侯程阳;陈艺勤;段辉高;刘杰-.电子束光刻"自主可控"EDA软件HNU-EBL)[J].湖南大学学报（自然科学版）,2022(10):183-191
A类：
HNU,GDSII,邻近效应校正,计算光刻
B类：
电子束光刻,自主可控,EDA,EBL,Beam,Lithography,工艺过程,光刻版,版图,加工质量,湖南大学,Hunan,University,产电,电子设计自动化,Electronic,Design,Automation,该软件,软件实现,主要功能,Monte,Carlo,光刻胶,运动轨迹,指数函数模型,合出,点扩散函数,图文,矩阵化,电子束曝光,曝光剂量,卷积计算,出给,能量沉积,沉积密度,质量关,关键指标,异或门,Exclusive,XOR,集成电路,聚甲基丙烯酸甲酯,Polymethyl,Methacrylate,PMMA,硅衬底,kV,光刻工艺,正前,影版,完全相同,计算硬件,和算,等精度,计算效率,免费
AB值：
0.35573
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
