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镀铜银纳米线导电薄膜精细电路蚀刻的研究
文献摘要：
采用黄光湿法蚀刻工艺,调整过氧化氢和乙酸的比例,研究了不同蚀刻液配方对镀铜银纳米线导电薄膜的蚀刻效果及蚀刻时间对图案化镀铜银纳米线导电薄膜沟道的影响.结果表明,最佳蚀刻配方为去离子水90 g、过氧化氢2 g、乙酸7 g,最佳蚀刻时间为150 s.采用此蚀刻液配方蚀刻镀铜银纳米线导电薄膜,蚀刻前后光电性能无变化.
文献关键词：
银纳米线;镀铜;蚀刻;光电性能;过程控制
中图分类号：
作者姓名：
梁雨轩;张晓东;黄林泉;刘楠
作者机构：
陕西煤业化工技术研究院有限责任公司,陕西西安710070
文献出处：
引用格式：
[1]梁雨轩;张晓东;黄林泉;刘楠-.镀铜银纳米线导电薄膜精细电路蚀刻的研究)[J].电镀与精饰,2022(08):61-64
A类：
B类：
镀铜,银纳米线,导电薄膜,湿法,刻工,整过,蚀刻液,图案化,沟道,方为,去离子水,光电性能,过程控制
AB值：
0.185559
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