典型文献
水溶液中低温电沉积法制备锗薄膜工艺
文献摘要：
以二氧化锗作为锗源,在水溶液体系中分别以固态和液态电极进行半导体锗薄膜的制备并对其进行分析.XRD和拉曼光谱显示在Cu板上制备的样品均为无定形态的锗,沉积温度和时间对锗薄膜最终形成厚度具有显著影响,同时,过高的沉积温度会使锗薄膜在生长过程中产生裂缝.而在较低温度下(<90℃)可在液态电极上制备出晶体锗薄膜,且当沉积温度为80℃时晶体锗薄膜质量相对最好.此外,XRD结果表明,较低的锗源浓度(<70 mmol/L)会阻碍锗在(220)和(311)晶面的生长.
文献关键词：
电沉积;液态电极;锗薄膜;水溶液
中图分类号：
作者姓名：
杨程;赵占霞;张承龙;王瑞雪;马恩
作者机构：
上海大学理学院物理系,上海200444;上海第二工业大学资源与环境工程学院,上海201209;上海电子废弃物资源化协同创新中心,上海201209
文献出处：
引用格式：
[1]杨程;赵占霞;张承龙;王瑞雪;马恩-.水溶液中低温电沉积法制备锗薄膜工艺)[J].有色金属工程,2022(10):38-46,85
A类：
液态电极
B类：
中低温,电沉积法,锗薄膜,薄膜工艺,二氧化锗,水溶液体系,固态,拉曼光谱,无定形态,沉积温度,温度和时间,生长过程,薄膜质量,晶面
AB值：
0.232254
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
