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电子级二氯二氢硅制备技术研究进展
文献摘要：
电子级二氯二氢硅主要用于先进集成电路芯片制程中应变硅外延生长,氧化硅、氮化硅以及金属硅化物等薄膜沉积生产工艺,具有沉积速度快、沉积薄膜均匀、温度较低等特点,在集成电路制造中应用广泛,但是目前主要依赖进口的问题仍未解决.本文介绍精馏纯化、吸附络合和歧化反应等二氯二氢硅制备方法的原理、应用研究进展,并进行三种方法的对比,归纳未来的主要研究方向,最后对以电子级二氯二氢硅为原料衍生制备的先进硅基前驱体的应用进行展望.
文献关键词：
二氯二氢硅;多晶硅;集成电路;电子气体;前驱体;精馏纯化;吸附络合;歧化反应
中图分类号：
作者姓名：
梁君;刘见华;常欣;袁振军;万烨
作者机构：
洛阳中硅高科技有限公司,河南洛阳471023;硅基材料制备技术国家工程研究中心,河南洛阳471023;中国恩菲工程技术有限公司,北京100038
文献出处：
引用格式：
[1]梁君;刘见华;常欣;袁振军;万烨-.电子级二氯二氢硅制备技术研究进展)[J].绿色矿冶,2022(06):5-8,15
A类：
二氯二氢硅,应变硅
B类：
电子级,制备技术,芯片制程,硅外延,外延生长,氧化硅,氮化硅,金属硅化物,薄膜沉积,沉积速度,集成电路制造,精馏纯化,吸附络合,歧化反应,制备方法,三种方法,硅基,前驱体,多晶硅,电子气体
AB值：
0.294311
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