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受体掺杂半导体高次谐波产生的理论研究
文献摘要：
通过数值求解单电子近似下的一维含时薛定谔方程,从理论上研究了受体掺杂半导体高次谐波的产生.结果表明,受体掺杂后第二平台的谐波效率比未掺杂时提高了约3～4个数量级.理论分析发现,掺杂改变了半导体的能带结构,使价带与第一导带以及第一导带与第二导带之间的带隙变窄,电子更容易隧穿到更高导带,使高导带的电子布居数增大,从而提高了第二平台的谐波效率.
文献关键词：
原子与分子物理学;高次谐波;受体掺杂半导体;含时薛定谔方程
中图分类号：
作者姓名：
王燕锋;苗向阳
作者机构：
吕梁学院物理系,山西 吕梁033001;山西师范大学物理与信息工程学院,山西临汾041004
文献出处：
引用格式：
[1]王燕锋;苗向阳-.受体掺杂半导体高次谐波产生的理论研究)[J].激光与光电子学进展,2022(13):102-106
A类：
受体掺杂半导体,原子与分子物理学
B类：
高次谐波产生,数值求解,含时薛定谔方程,高次谐波的产生,效率比,数量级,能带结构,价带,导带,及第,带隙,变窄,穿到,布居数
AB值：
0.2448
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