典型文献
GaN-LED倒装芯片的金属保护层设计与研究
文献摘要：
金属Ag的反射率和迁移对GaN-LED倒装芯片的性能有重要的影响,为了提升芯片制程中的漏电良率,优化芯片结构中容易发生金属Ag迁移的结构,该研究设计了不同金属保护层结构,通过对比结构形貌、芯片漏电良率、芯片亮度和封装亮度,发现双层夹层的金属保护层结构更稳定,致密性更佳,可以有效阻挡金属Ag的迁移,减少PN结的导电通道,降低漏电的风险.将不同金属保护层结构分别应用到3 000 μm×3 000 μm的GaN发光二极管倒装工艺中,双层夹层的金属保护层漏电良率提升2.6％,同时因形成了全方向反射镜,增加了光萃取率,亮度提升4.5％,器件的过载能力比较强.
文献关键词：
倒装芯片;反光镜;保护层
中图分类号：
作者姓名：
吴滢滢
作者机构：
厦门三安光电科技有限公司,福建 厦门361009
文献出处：
引用格式：
[1]吴滢滢-.GaN-LED倒装芯片的金属保护层设计与研究)[J].中国新技术新产品,2022(23):73-75
A类：
金属保护层
B类：
GaN,LED,倒装芯片,设计与研究,Ag,反射率,芯片制程,漏电,对比结构,结构形貌,亮度,封装,夹层,更稳,致密性,阻挡,PN,导电通道,发光二极管,装工,良率提升,全方向,反射镜,萃取率,过载能力,反光镜
AB值：
0.321048
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