典型文献
基于Au/KMnAgSe2/Ag结构存储器的阻变效应研究
文献摘要：
采用高温固相法合成具有层状结构的KMnAgSe2,并首次将其作为阻变层材料制备成结构为Au/KMnAgSe2/Ag的阻变器件.通过一系列电学测试研究了该夹层结构器件的阻变性能,研究表明Au/KMnAgSe2/Ag器件具有明显的双极性阻变特性,并表现出较优的稳定性和非易失性.在经历连续200次的循环测试或103s的时间后电阻开关比仍旧保持在10以上.本实验研究结果为KMnAgSe2应用到阻变存储器件中提供了材料基础和理论指导,将有望成为一种极具潜力的新型非易失性存储器.
文献关键词：
阻变效应;金属导电细丝;非易失性
中图分类号：
作者姓名：
谭鑫;赖晓芳
作者机构：
广东工业大学 物理与光电工程学院,广东 广州 510006
文献出处：
引用格式：
[1]谭鑫;赖晓芳-.基于Au/KMnAgSe2/Ag结构存储器的阻变效应研究)[J].科学技术创新,2022(06):18-21
A类：
KMnAgSe2,阻变效应,103s,金属导电细丝
B类：
Au,高温固相法,层状结构,材料制备,阻变器件,电学,测试研究,夹层结构,阻变性能,双极性,阻变特性,开关比,仍旧,阻变存储器,非易失性存储器
AB值：
0.262298
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