典型文献
氮化硅低损耗光栅耦合器的设计与制备
文献摘要：
为实现光栅耦合器与光纤的高效率耦合,基于联合微电子中心有限责任公司(CUMEC)超低损耗氮化硅平台,成功设计并开发了与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容的低损耗、小尺寸氮化硅光栅耦合器.首先对光栅关键参数进行了仿真计算,选择最优参数进行光栅耦合器的设计.然后,基于CUMEC超低损耗氮化硅平台,采用聚焦光栅结构,极大地缩小了光栅耦合器的尺寸,得到的氮化硅聚焦光栅耦合器小线宽结构制备良好.搭建了光学测试系统完成聚焦光栅性能表征,测试结果表明,损耗最优值为4.48 dB,对应波长1548 nm,1 dB带宽大于45 nm.
文献关键词：
聚焦光栅;氮化硅平台;集成光子;低压化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
梁宇鑫;李智慧;范诗佳;杨忠华;刘大鹏;冯靖;廖海军;崔乃迪
作者机构：
联合微电子中心有限责任公司,重庆401332
文献出处：
引用格式：
[1]梁宇鑫;李智慧;范诗佳;杨忠华;刘大鹏;冯靖;廖海军;崔乃迪-.氮化硅低损耗光栅耦合器的设计与制备)[J].光通信技术,2022(04):68-72
A类：
氮化硅平台,聚焦光栅,损耗最优
B类：
光栅耦合器,光纤,微电子,有限责任公司,CUMEC,超低损耗,互补金属氧化物半导体,CMOS,工艺兼容,小尺寸,硅光,仿真计算,最优参数,光栅结构,线宽,光学测试,测试系统,性能表征,最优值,dB,宽大,集成光子,低压化学气相沉积
AB值：
0.202288
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