典型文献
X-切薄膜铌酸锂高效率光栅耦合器的设计
文献摘要：
基于X-切绝缘体上薄膜铌酸锂平台,提出并设计了一种高耦合效率的切趾一维光栅耦合器.采用非晶硅覆盖层材料,结合亚波长光子晶体等效方案和遗传算法增强光栅耦合效率.在中心波长1 550 nm处,光栅的峰值耦合效率为-1.08 dB,通过引入底部金属反射镜可进一步提高至-0.53 dB,其1 dB带宽约为61 nm.
文献关键词：
铌酸锂;光栅耦合器;非晶硅;高耦合效率
中图分类号：
作者姓名：
罗砚浓;蔡鑫伦
作者机构：
广西医科大学生命科学研究院生物医学光子学研究中心,南宁530021;中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室,广州510006
文献出处：
引用格式：
[1]罗砚浓;蔡鑫伦-.X-切薄膜铌酸锂高效率光栅耦合器的设计)[J].半导体光电,2022(02):280-284
A类：
B类：
薄膜铌酸锂,光栅耦合器,绝缘体,高耦合效率,切趾,一维光栅,非晶硅,覆盖层,亚波长,光子晶体,强光,中心波长,dB,金属反射镜
AB值：
0.279974
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
