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光刻胶树脂结构与性能技术进展
文献摘要：
光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节,被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠.而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶,每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现,从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等,与之相应的光刻胶也不尽相同.
文献关键词：
光刻;光刻胶;紫外;深紫外;极紫外
中图分类号：
作者姓名：
陈寿天宝;张念椿;魏永明;马晓华;杨虎;庄黎伟;汤初阳;李金荣;郑鹤立;许振良
作者机构：
西陇科学股份有限公司,广东汕头 515000
文献出处：
引用格式：
[1]陈寿天宝;张念椿;魏永明;马晓华;杨虎;庄黎伟;汤初阳;李金荣;郑鹤立;许振良-.光刻胶树脂结构与性能技术进展)[J].山东化工,2022(22):117-120,124
A类：
B类：
光刻胶,结构与性能,技术进展,光刻工艺,核心环节,被誉为,集成电路制造,皇冠,耀眼,明珠,而光,光刻技术,辅助材料,上得,KrF,ArF,EUV,深紫外,极紫外
AB值：
0.363936
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