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工作压强对溅射p+-poly-Si/SiOx钝化接触结构的光电特性影响的研究
文献摘要：
掺杂多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiOx)钝化接触是目前达到较高效率的太阳电池的重要结构,常用化学气相沉积(CVD)方法进行多晶硅薄膜的制备,但制备过程伴随着有毒气体和工艺繁杂等方面的制约.本文提出一种更安全且简单的共溅射方法制备掺杂多晶硅薄膜的物理沉积(PVD)技术.利用扫描电子显微镜(SEM)观察硅薄膜的表面形貌并计算平均晶粒尺寸,通过拉曼光谱(Raman)和霍尔效应(Hall Effect)测试对不同工作压强下制备出的硼掺杂多晶硅/氧化硅(p+-poly-Si/SiOx)钝化接触结构进行材料的表征.研究结果表明:在0.5Pa的工作压强下制备出的样品表现出了2.04mΩ·cm2的最低接触电阻率、5.4×1019cm-3的最大载流子浓度、最平滑致密的表面形貌、54％的最佳的结晶率和21nm的平均晶粒尺寸.
文献关键词：
磁控溅射;工作压强;钝化接触;晶粒尺寸;光电性能
中图分类号：
作者姓名：
王玉超;杜朋轩;盛之林;黄康;范占军
作者机构：
北方民族大学材料科学与工程学院宁夏硅靶及硅碳负极材料工程技术研究中心 宁夏 750021;宁夏职业技术学院 宁夏 750021;宁夏高创特能源科技有限公司 宁夏 750021
文献出处：
引用格式：
[1]王玉超;杜朋轩;盛之林;黄康;范占军-.工作压强对溅射p+-poly-Si/SiOx钝化接触结构的光电特性影响的研究)[J].当代化工研究,2022(22):39-41
A类：
1019cm,21nm
B类：
工作压强,p+,poly,SiOx,钝化接触,光电特性,氧化硅,太阳电池,化学气相沉积,CVD,多晶硅薄膜,制备过程,有毒气体,繁杂,共溅射,PVD,表面形貌,平均晶粒尺寸,拉曼光谱,Raman,霍尔效应,Hall,Effect,硼掺杂,5Pa,04m,低接触,接触电阻,电阻率,载流子浓度,结晶率,磁控溅射,光电性能
AB值：
0.311123
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