典型文献
V掺杂ZnO薄膜磁控溅射制备及其压敏性能
文献摘要：
用磁控溅射成功制备出V掺杂ZnO压电薄膜.在不同温度对样品进行退火处理,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的表面形貌、晶体结构和表面化学状态进行表征,并测量了不同退火温度下薄膜样品的电流密度(J)-电压(V)曲线.结果表明,高温退火后V向ZnO晶格内部迁移,引起晶格畸变,形成表面氧空位.随着退火温度的升高,非线性系数先增大后减小,薄膜的压敏电压逐渐增大,漏电流密度先减小后增大.800℃退火后样品表面氧空位浓度最高,薄膜具有较为理想的综合电性能,其非线性系数为15.19,压敏电压为5.13 V,漏电流密度为0.42μA·mm-2.
文献关键词：
ZnO陶瓷薄膜;掺杂;磁控溅射;XPS;退火温度
中图分类号：
作者姓名：
黄青武;周芃;宋武林
作者机构：
华中科技大学分析测试中心, 湖北 武汉 430074
文献出处：
引用格式：
[1]黄青武;周芃;宋武林-.V掺杂ZnO薄膜磁控溅射制备及其压敏性能)[J].广州化工,2022(14):78-80
A类：
B类：
ZnO,磁控溅射,压敏性能,射成,压电薄膜,退火处理,光电子能谱,能谱仪,XPS,表面形貌,晶体结构,表面化学,退火温度,高温退火,晶格畸变,表面氧空位,非线性系数,漏电流密度,先减,较为理想,电性能,陶瓷薄膜
AB值：
0.253626
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