典型文献
基于光学散射仪的T型相变存储器三维形貌参数测量
文献摘要：
T型相变存储器的低功耗、非易失性、高存储密度和高可靠性等优势使其被国际半导体工业协会认为是下一代半导体存储器的主流产品之一.为了保证T型相变存储器制造工艺的可控性,提出了一种基于光学散射的纳米结构三维形貌参数测量方法.基于严格耦合波分析方法建立了T型相变存储器的光学特性模型.分析了待测样品上椭圆偏振光的振幅和相位变化量.用逆散射问题反演求解待测纳米结构的三维形貌参数等信息.利用光学散射仪对T型相变存储器的三维形貌参数进行测量,并将待测参数的提取结果与扫描电子显微镜的测量结果进行对比,验证了光学散射仪在T型相变存储器形貌表征及制造工艺监控上的可行性与有效性.
文献关键词：
散射;纳米结构;光学散射仪;T型相变存储器;三维形貌参数
中图分类号：
作者姓名：
董正琼;袁顺;李晨阳;唐少康;聂磊
作者机构：
湖北工业大学机械工程学院现代制造质量工程湖北省重点实验室,湖北武汉430068
文献出处：
引用格式：
[1]董正琼;袁顺;李晨阳;唐少康;聂磊-.基于光学散射仪的T型相变存储器三维形貌参数测量)[J].激光与光电子学进展,2022(19):339-345
A类：
光学散射仪
B类：
相变存储器,三维形貌参数,参数测量,低功耗,非易失性,存储密度,高可靠性,工业协会,下一代,半导体存储器,主流产品,制造工艺,可控性,纳米结构,严格耦合波分析,光学特性,椭圆偏振,圆偏振光,相位变化,变化量,逆散射,利用光,器形,形貌表征,工艺监控
AB值：
0.228896
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