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气体组分对大气压Ar/O2/SiH4放电影响的数值模拟研究
文献摘要：
本文借助于二维流体力学模型对大气压下Ar/O2/SiH4放电进行了研究,重点关注了气体组分变化对前驱物粒子密度以及二氧化硅薄膜均匀性的影响.模拟结果表明:O2含量在整个放电体系中起决定性作用.当SiH4含量一定时,增加O2含量可以在不改变电子密度的同时,较大程度提高薄膜的沉积速率、优化薄膜的均匀性.SiH4含量主要对前驱物粒子SiH3O密度有较大影响,对薄膜的贡献却很小.值得注意的是,当O2含量与SiH4相等时,SiH3O粒子的生成通道占据主导地位,其密度较高;而当O2含量大于SiH4时,SiH2O的生成通道会占据主导地位,其密度高于SiH3O密度,同时SiO2密度大幅提高,可以达到1017 cm-3.因此在实际工业制备大面积薄膜的过程中,提高O2含量有助于获得较高的沉积速率和高质量薄膜.
文献关键词：
气体组分;低温等离子体;数值模拟;二氧化硅薄膜
中图分类号：
作者姓名：
董晓天;刘相梅
作者机构：
齐齐哈尔大学理学院 齐齐哈尔161006
文献出处：
引用格式：
[1]董晓天;刘相梅-.气体组分对大气压Ar/O2/SiH4放电影响的数值模拟研究)[J].真空科学与技术学报,2022(12):952-961
A类：
SiH3O,SiH2O
B类：
气体组分,大气压,Ar,SiH4,放电影,数值模拟研究,借助于,流体力学,组分变化,前驱,二氧化硅薄膜,薄膜均匀性,变电,电子密度,沉积速率,值得注意,相等,密度高,SiO2,工业制备,低温等离子体
AB值：
0.242197
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