典型文献
硅基毫米波高增益LNA技术研究
文献摘要：
针对W波段硅基工艺电路面临的功率增益低、效率低以及噪声差等挑战,本文研究硅基毫米波高增益低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)技术.该LNA采用带有射极电感反馈的共射放大器,并通过五级共射放大器级联构成.第一级电路通过提供最小噪声偏置电流,并利用最小噪声匹配实现低噪声性能,后级电路通过提供高增益偏置电流实现高增益性能.另外,为了减小射频信号到衬底的损耗以及信号与旁路元件的耦合,有效提高低噪声放大器的性能,用于匹配电路的电感全部采用传输线形式— 接地共面波导.低噪声放大器在中心频率94 GHz处的增益S21达到25.2 dB,噪声系数NF小至5.1 dB.在90～100 GHz频段内,输入反射系数S11小于-10 dB,输出反射系数S22稳定在-20 dB左右,芯片面积为500μm×960μm.
文献关键词：
W波段;硅基;低噪声放大器;接地共面波导
中图分类号：
作者姓名：
卢启军;陈野;张涛;朱樟明
作者机构：
西安电子科技大学微电子学院,陕西西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]卢启军;陈野;张涛;朱樟明-.硅基毫米波高增益LNA技术研究)[J].雷达科学与技术,2022(04):397-402,414
A类：
B类：
毫米波,波高,高增益,LNA,波段,硅基工艺,低噪声放大器,Low,Noise,Amplifier,五级,第一级,路通,偏置,最小噪声匹配,噪声性能,益性,射频信号,衬底,旁路,配电,传输线,线形,接地共面波导,中心频率,GHz,S21,dB,噪声系数,频段,反射系数,S11,S22
AB值：
0.307186
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