典型文献
微米银焊点的超快激光图形化沉积及其在芯片连接中的应用探索
文献摘要：
集成电路(IC)芯片封装中小尺寸、细节距焊点采用的传统锡基钎料在服役过程中存在桥接、电迁移、金属间化合物等问题,在大电流、大功率密度的应用中受到限制.采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在覆铜陶瓷(DBC)基板上图形化沉积了多孔微米银焊点,用于替代传统的钎料凸点,并将其应用于Si芯片与DBC基板的连接.结果 表明:采用不锈钢作为掩模,可沉积出500 μm及300 μm特征尺寸的疏松多孔银焊点阵列,银焊点呈圆台形貌;在250℃温度、2 MPa压力下热压烧结10 min,Si芯片与DBC基板连接良好,连接后的银焊点边缘的孔隙率为42％左右,银焊点中心区域的孔隙率为22％;500 μm和300 μm特征尺寸的银焊点的连接接头的剪切强度分别为14MPa和12MPa;接头断裂主要发生在银焊点与芯片或DBC基板的连接界面处.
文献关键词：
激光技术;脉冲激光沉积;图形化连接;多孔微米银焊点;热压烧结;剪切强度
中图分类号：
作者姓名：
吴永超;胡锦涛;郭伟;刘磊;康慧;彭鹏
作者机构：
北京航空航天大学机械工程及自动化学院,北京100191;清华大学机械工程学院摩擦学国家重点实验室,北京100084
文献出处：
引用格式：
[1]吴永超;胡锦涛;郭伟;刘磊;康慧;彭鹏-.微米银焊点的超快激光图形化沉积及其在芯片连接中的应用探索)[J].中国激光,2022(02):12-21
A类：
多孔微米银焊点,银焊点阵列,图形化连接
B类：
超快激光,应用探索,集成电路,IC,芯片封装,小尺寸,节距,锡基钎料,服役,桥接,电迁移,金属间化合物,大电流,大功率,功率密度,受到限制,脉冲激光沉积,PLD,DBC,基板,上图,凸点,Si,不锈钢,掩模,特征尺寸,松多,圆台,热压烧结,孔隙率,点中,中心区,连接接头,剪切强度,14MPa,12MPa,连接界面,激光技术
AB值：
0.324208
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