典型文献
微波辅助烧结Al掺杂ZnO陶瓷的缺陷和光学性能研究
文献摘要：
采用微波辅助烧结法在空气气氛中以1100℃烧结20 min制备出不同Al2 O3掺杂量(摩尔分数0％～6％)的ZnO陶瓷.通过XRD、SEM、霍尔实验、UV-Vis光谱、Raman光谱、PL光谱的表征,研究了Al2 O3掺杂量的变化对微波辅助烧结ZnO陶瓷的物相结构、微观组织、电学性能、光学性能的影响.实验结果表明,Al2 O3掺杂并没有改变ZnO陶瓷的六方纤锌矿结构,随着Al2 O3掺杂量的增加,在ZnO晶界处逐渐形成ZnAl2 O4尖晶石相,ZnO晶粒尺寸逐渐减小;微波辅助烧结所制备ZnO陶瓷的室温电阻率和光学带隙随Al2 O3掺杂量的增加呈先减小后增加的趋势;当Al2 O3掺杂量为摩尔分数4％时,所制备ZnO陶瓷的综合性能最好,样品的室温电阻率为1783Ω·cm,光学带隙为3.04 eV;随着Al2 O3掺杂量的增加,AlZn施主缺陷和深能级缺陷浓度增加,所制备ZnO陶瓷的Raman特征峰强度减弱,PL发光峰强度则呈现增强的趋势.AlZn缺陷的产生有助于载流子浓度的增加和杂质带的形成,从而改善微波辅助烧结所制备ZnO陶瓷的电学性能和光学性能.
文献关键词：
ZnO陶瓷;Al2O3掺杂;微波辅助烧结;缺陷;光学性能
中图分类号：
作者姓名：
王晨瑞;苗瑞霞;张德栋;李永锋
作者机构：
西安邮电大学 电子工程学院, 陕西 西安 710121
文献出处：
引用格式：
[1]王晨瑞;苗瑞霞;张德栋;李永锋-.微波辅助烧结Al掺杂ZnO陶瓷的缺陷和光学性能研究)[J].电子元件与材料,2022(04):356-361
A类：
微波辅助烧结
B类：
ZnO,光学性能,烧结法,空气气氛,摩尔分数,霍尔,UV,Vis,Raman,PL,物相结构,微观组织,电学性能,六方,锌矿,晶界,ZnAl2,O4,尖晶石,晶粒尺寸,室温电阻,电阻率,光学带隙,先减,eV,AlZn,施主,深能级缺陷,缺陷浓度,特征峰,峰强度,载流子浓度,Al2O3
AB值：
0.259223
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