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大功率GaN器件接地特性与稳定性研究
文献摘要：
GaN器件的工艺和技术进步,将输出功率提高到数百瓦甚至数千瓦量级.但是,大功率GaN器件相应的使用规范和标准,如接地要求,在仿真设计和工程应用中一直没有明确.文章针对大功率GaN器件的接地特性进行分析,通过仿真和试验验证了超大功率GaN器件功放电路中,接地条件对电路自身稳定性的重要性.明确了大功率和超大功率GaN器件的接地阻抗＜1mΩ使用标准,同时对接地金属接触表面的长期可靠性做出要求.
文献关键词：
GaN器件;大功率;接地特性;接触电阻;稳定性
中图分类号：
作者姓名：
孙引进;顾颖言;蔡晓波;谢宁;蒋拥军
作者机构：
中国电子科技集团公司第十四研究所,南京210039
文献出处：
引用格式：
[1]孙引进;顾颖言;蔡晓波;谢宁;蒋拥军-.大功率GaN器件接地特性与稳定性研究)[J].微波学报,2022(01):62-65,70
A类：
数百瓦
B类：
GaN,接地特性,稳定性研究,工艺和技术,输出功率,数千,千瓦,使用规范,仿真设计,超大功率,功放电路,接地阻抗,1m,金属接触,接触表面,接触电阻
AB值：
0.294275
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