典型文献
非共线反铁磁Weyl半金属Mn3Ge中电磁特性的质量依赖
文献摘要：
近年来的一些实验和理论研究证实,Mn3X系列材料具有非共线反铁磁Weyl半金属的特征,有很大的应用潜力,其中以Mn3Sn和Mn3Ge最为突出.使用助熔剂法制备得到了两块Mn3Ge的晶体,对其电输运和磁特性进行了详细研究.结果表明,晶体的电磁特性与其质量有很强的依赖关系.过量的Mn占据Ge原子的位点会导致材料内部缺陷增多,在Mn与Ge的原子数分数之比为76.88∶23.12时,晶体的交换偏置场强度在温度T=2 K以及5×104 Oe(1 A·m-1=4π×10-3 Oe)场冷却的条件下增强了 47％,反常霍尔电导率在T=100 K时高场(±3×104 Oe)的饱和值提升了 1.7倍.并且对现象背后的物理机理进行了探讨.该研究表明,电输运和磁特性的质量依赖可以提供与以往电、磁等调节性能方式不同的手段,对开关和存储器件的开发具有一定的参考价值.
文献关键词：
质量依赖;非共线反铁磁材料;交换偏置效应;反常霍尔效应;输运性能
中图分类号：
作者姓名：
李浩宇;姚欣钰;叶蓉丽;高湉;曹桂新
作者机构：
上海电力大学数理学院,上海 200090;上海大学材料基因组工程研究院,上海 200444
文献出处：
引用格式：
[1]李浩宇;姚欣钰;叶蓉丽;高湉;曹桂新-.非共线反铁磁Weyl半金属Mn3Ge中电磁特性的质量依赖)[J].微纳电子技术,2022(11):1147-1152,1204
A类：
Mn3Ge,Mn3X,Mn3Sn,非共线反铁磁材料,反铁磁材料
B类：
Weyl,半金属,电磁特性,质量依赖,助熔剂法,两块,依赖关系,内部缺陷,原子数,之比,偏置场,场强,Oe,电导率,饱和值,物理机理,调节性能,存储器,交换偏置效应,反常霍尔效应,输运性能
AB值：
0.249082
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