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大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制
文献摘要：
超辐射发光二极管(SLED)是一种非相干性光源,具有激光器功率大,耦合效能高的优点,同时也有着频谱宽、相干长度短等特点,可以应于光学相干层析技术和波分复用技术等领域.未来的发展方向是更大的功率,更大的带宽以及更低的消光比.本论文研究了1310 nm波段具有掩埋异质结构的高性能SLED芯片的设计与波导工艺制作,采取7°倾斜波导并镀上反射率小于0.1％的增透膜.经测试该SLED芯片具有大的饱和出光功率(超过20 mW),低的偏振消光比(低于0.5 dB),以及良好的光谱特性(3 dB光谱带宽大于50 nm,光谱纹波小于0.1 dB).
文献关键词：
超辐射发光二极管;掩埋异质结;大功率;低偏振消光比;宽光谱
中图分类号：
作者姓名：
李吴皓;王定理;李中坤;单静春;黄晓东;汤宝
作者机构：
武汉光迅科技股份有限公司,湖北 武汉430074
文献出处：
引用格式：
[1]李吴皓;王定理;李中坤;单静春;黄晓东;汤宝-.大功率低偏振度超辐射发光二极管的研制)[J].激光与红外,2022(02):217-222
A类：
掩埋异质结,低偏振消光比
B类：
大功率,偏振度,超辐射发光二极管,SLED,非相干,相干性,光源,激光器,谱宽,相干长度,应于,光学相干层析技术,波分复用,复用技术,本论,波段,异质结构,波导,工艺制作,镀上,反射率,增透膜,光功率,mW,dB,光谱特性,宽大,纹波,宽光谱
AB值：
0.306847
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