典型文献
碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究
文献摘要：
介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析.通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解.
文献关键词：
碳化硅材料;辐照试验;原子平均离位损伤;C-AFM测试
中图分类号：
作者姓名：
朱泓达
作者机构：
伦敦大学学院,伦敦,WC1H 0AQ
文献出处：
引用格式：
[1]朱泓达-.碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究)[J].黑龙江科学,2022(04):38-39
A类：
原子平均离位损伤
B类：
半导体材料,辐照试验,表征研究,基本流程,离子注入,注入量,表面形貌,形貌变化,AFM,辐照剂量,损伤机制,碳化硅材料
AB值：
0.215341
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