典型文献
32～40 GHz高耐功率PIN二极管限幅低噪声放大器MMIC
文献摘要：
本文提出了一种32～40 GHz高耐功率砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)PIN二极管限幅低噪声放大器单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC).将PIN限幅器与低噪声放大器联合设计,同时采用高鲁棒性低噪声放大器网络,提高了限幅低噪声放大器的耐功率和小信号特性.为了降低放大器的噪声系数,提出了包含电感和PIN二极管的T型匹配单元,将多个匹配单元级联作为低噪声放大器的输入匹配网络.该限幅低噪声放大器MMIC采用0.15-μm PIN/pHEMT工艺制造.测试结果表明,该芯片可以承受最高为38 dBm的连续波30 min不损坏.在32～40 GHz频率范围内,电路的小信号增益和噪声系数分别为18±0.4 dB和2.5～2.8 dB,证明了该设计方法的有效性.在目前报道的限幅低噪声放大器MMIC中,该限幅低噪声放大器具有最高的工作频率,该电路可广泛的应用于高功率、高机动性的毫米波雷达系统中.
文献关键词：
PIN二极管;GaAs;限幅低噪声放大器;单片微波集成电路;高耐功率
中图分类号：
作者姓名：
邸跃红;杨旭;杨琳;蔡明伟;安胜彪
作者机构：
西安机电信息技术研究所,陕西西安 710065;河北科技大学,河北 石家庄 050018
文献出处：
引用格式：
[1]邸跃红;杨旭;杨琳;蔡明伟;安胜彪-.32～40 GHz高耐功率PIN二极管限幅低噪声放大器MMIC)[J].中国电子科学研究院学报,2022(09):869-874
A类：
高耐功率,Arsenide
B类：
GHz,PIN,二极管,限幅低噪声放大器,MMIC,砷化镓,Gallium,GaAs,单片微波集成电路,Monolithic,Microwave,Integrated,Circuit,限幅器,高鲁棒性,小信号,噪声系数,单元级,联作,匹配网络,pHEMT,dBm,连续波,信号增益,工作频率,高功率,高机动性,毫米波雷达,雷达系统
AB值：
0.206394
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