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基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计
文献摘要：
采用两只总栅宽100 mm的0.5μm工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络,实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管.在+36 V、-2 V工作电压下,1.14～1.26 GHz内,功率管输出功率≥600 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥55％,体积仅为33 mm×17 mm×2 mm,重量仅为3.5 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景.
文献关键词：
功率管;GaN;内匹配;L波段;大功率
中图分类号：
作者姓名：
王晓龙
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 石家庄 050051
文献出处：
引用格式：
[1]王晓龙-.基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计)[J].现代信息科技,2022(01):52-55
A类：
目标阻抗
B类：
GaN,HEMT,波段,内匹配,功率管,两只,管芯,合理设计,匹配网络,输出功率,功率达,+36,工作电压,GHz,dB,功率附加效率,大功率
AB值：
0.39198
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