典型文献
用于ICF实验的SiC薄膜的制备及性能
文献摘要：
以四甲基硅烷作为单一反应前驱体气源,采用等离子体增强化学气相沉积法在Si晶片(100)上生长SiC薄膜,研究了电极距离对薄膜微观结构和性能的影响.结果表明:在实验设定的5～9 cm电极距离下所制备的薄膜成分以Si C键为主,具有极低的表面粗糙度(1.30～2.44 nm)和较高的硬度与弹性模量比(H/E值为0.134～0.154);电极距离越短,薄膜的密度越高.实验结果为SiC薄膜在惯性约束聚变实验中的应用奠定了基础.
文献关键词：
SiC;薄膜;电极距离;单一反应气源;等离子体增强化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
李子曦;黄景林;谢春平;杜凯;易勇
作者机构：
西南科技大学材料与化学学院 四川绵阳 621010;中国工程物理研究院激光聚变研究中心 四川绵阳 621900
文献出处：
引用格式：
[1]李子曦;黄景林;谢春平;杜凯;易勇-.用于ICF实验的SiC薄膜的制备及性能)[J].西南科技大学学报,2022(04):1-8
A类：
单一反应气源
B类：
ICF,SiC,制备及性能,硅烷,前驱体,体气,等离子体增强化学气相沉积法,晶片,上生,电极距离,结构和性能,表面粗糙度,弹性模量比,越短,惯性约束聚变
AB值：
0.237995
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