典型文献
基于版图设计的DICE触发器单粒子翻转加固技术
文献摘要：
D触发器是时序逻辑电路的基础,随着集成电路工艺尺寸进入纳米级,单粒子多节点翻转(single event multiple upset,SEMU)现象趋于严重,双互锁存单元(dual interlocked storage cell,DICE)触发器加固设计方法的抗单粒子翻转(single event upset,SEU)能力已不能满足宇航需求.基于纳米工艺下D触发器的SEU加固技术以及DICE结构的翻转机理,兼顾电路性能、面积和功耗等资源开销,提出了一种以DICE电路结构为基础的版图级抗SEU触发器设计方法,并采用商用65 nm工艺实现了一款抗SEU的D触发器设计,其面积仅为商用结构触发器的1.8倍.电路功能及辐照性能仿真表明,该触发器的建立时间和传输延迟与商用结构触发器相当,在线性传输能(linear energy transfer,LET)阈值大约为37 MeV·cm2/mg的Ge离子轰击下没有发生SEU,触发器电路的性能和抗单粒子软错误能力表现优秀.在抗辐照专用集成电路设计中,极大节省了由加固D触发器电路所带来的面积、布线资源和时序开销.
文献关键词：
辐射效应;DICE触发器;单粒子翻转;版图加固
中图分类号：
作者姓名：
赖晓玲;张健;巨艇;朱启;郭阳明
作者机构：
西北工业大学 计算机学院,陕西 西安 710072;中国空间技术研究院西安分院,陕西 西安 710199
文献出处：
引用格式：
[1]赖晓玲;张健;巨艇;朱启;郭阳明-.基于版图设计的DICE触发器单粒子翻转加固技术)[J].西北工业大学学报,2022(06):1305-1311
A类：
多节点翻转,SEMU,专用集成电路设计
B类：
版图设计,DICE,触发器,单粒子翻转加固,加固技术,时序逻辑电路,集成电路工艺,工艺尺寸,寸进,纳米级,single,event,multiple,upset,互锁,锁存,存单,dual,interlocked,storage,cell,加固设计,SEU,宇航,翻转机,功耗,开销,电路结构,商用,辐照性能,性能仿真,建立时间,传输延迟,linear,energy,transfer,LET,MeV,Ge,离子轰击,软错误,能力表现,抗辐照,大节,布线,辐射效应,版图加固
AB值：
0.342476
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