典型文献
Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量
文献摘要：
研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO2氧化层质量表征和界面测定.实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样品进行了固定电荷/可动电荷测试,分析了测试结果与样品设计的关系.同时,进一步研究了:①测试条件对实验结果的影响,结果表明100 kHz下的固定电荷/可动电荷测量可行性,为高频C-V测试仪的选择降低了成本;②制备工艺对样品性能的影响,为制作适合于不同应用场景的样品提供了参考.该研究建立的测定方法,还适用于微电子专业"MOS结构C-V法测定SiO2中固定电荷及可动电荷密度"实验中的样品测定需求.
文献关键词：
Si-MOS结构;C-V测试;固定电荷/可动电荷
中图分类号：
作者姓名：
王旭辉;程军;杨明超;张莉丽;雷冰洁;耿莉
作者机构：
西安交通大学微电子学院,西安710049
文献出处：
引用格式：
[1]王旭辉;程军;杨明超;张莉丽;雷冰洁;耿莉-.Si-MOS结构制备及固定电荷/可动电荷密度测量)[J].实验室研究与探索,2022(07):39-43
A类：
B类：
MOS,电荷密度,密度测量,器件结构,SiO2,氧化层,质量表征,测试样品,过切,封装,探针台,测试夹具,汞污染,测试条件,kHz,电荷测量,测试仪,制备工艺,品性,测定方法,微电子专业,中固,样品测定
AB值：
0.428567
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