典型文献
基于正交试验的Mo薄膜工艺参数优化
文献摘要：
Mo薄膜是CIGS薄膜太阳电池背电极的首选材料,对薄膜与基底间的结合力提出很大要求.为提高Mo薄膜与基底结合力,借助L9(33)正交表研究基底温度、溅射气压和溅射功率3种影响因素对Mo薄膜结合力的影响,针对每种因素各选取3个水平值.采用压入法衡量薄膜与基底的结合力,结合力的评价指标为压入引起的裂纹的面积,利用改进版龟裂评级法得出裂纹面积.通过极差分析得到基底温度、溅射气压、溅射功率所对应的R值分别为6.51、18.29、5.96;最优水平组合为A1 B2 C3,此时裂纹面积最小,为2.41μm2.结果表明:影响Mo薄膜与基底结合力的因素由主到次为溅射气压、基底温度、溅射功率,综合考虑3种影响因素下Mo薄膜的最优制备工艺参数为溅射功率150 W,溅射气压0.5 Pa,基底温度100℃.
文献关键词：
Mo薄膜;磁控溅射;结合力;参数优化;正交试验;裂纹面积
中图分类号：
作者姓名：
王波;沈琦;张丽霞;王喆;祁超;马玉田
作者机构：
北京工业大学材料科学与工程学院,北京 100124;中国航天科工集团201研究所第三实验室,北京 100854;中国科学院电工研究所,北京 100190
文献出处：
引用格式：
[1]王波;沈琦;张丽霞;王喆;祁超;马玉田-.基于正交试验的Mo薄膜工艺参数优化)[J].北京工业大学学报,2022(01):79-84
A类：
裂纹面积
B类：
Mo,薄膜工艺,工艺参数优化,CIGS,薄膜太阳电池,背电极,选材,结合力,大要,L9,正交表,基底温度,溅射气压,溅射功率,水平值,压入法,改进版,龟裂,评级,极差分析,最优水平组合,A1,B2,C3,到次,制备工艺参数,Pa,磁控溅射
AB值：
0.31189
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