典型文献
富含S空位的二维SnS2加速析氢反应
文献摘要：
精确调控二维平面内的原子缺陷可有效调节二维材料的各种基本性质.本研究通过改变退火温度(250-350℃),实现了二维二硫化锡(SnS2)基面上硫(S)原子的精确敲除,得到了具有不同S空位浓度的SnS2(Vs-SnS2).当SnS2在350℃下退火5 h时,大量出现单S原子和双S原子空位形态,S空位浓度可达30.5％.在自制微芯片中测试了Vs-SnS2的电催化析氢性能.S空位浓度达到30.5％的Vs-SnS2表现出优异的催化性能,Tafel斜率达到74 mV dec-1,起始电位低至141 mV.通过理论计算对反应机制进行研究,结果表明,S原子的缺失促进了表面电荷调制,提高了SnS2的导电性.此外,S空位导致Sn原子的不饱和配位,从而引起晶格畸变和电荷密度重新分布,更加有利于析氢反应.简而言之,通过控制退火温度可精确敲除特定原子、制造缺陷,可成为探索各种2D材料结构相关特性的一种有效策略.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
邵功磊;向海燕;黄梦婕;宗怡;罗俊;冯页新;薛雄雄;许杰;刘松;周震
作者机构：
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引用格式：
[1]邵功磊;向海燕;黄梦婕;宗怡;罗俊;冯页新;薛雄雄;许杰;刘松;周震-.富含S空位的二维SnS2加速析氢反应)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(07):1833-1841
A类：
B类：
空位,SnS2,析氢反应,二维材料,基本性质,退火温度,二硫化锡,基面,敲除,Vs,大量出,微芯片,电催化析氢,析氢性能,催化性能,Tafel,mV,dec,反应机制,表面电荷,导电性,不饱和,配位,晶格畸变,电荷密度,新分布,简而言之,制退,制造缺陷,2D,相关特性,有效策略
AB值：
0.378946
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