典型文献
一种超低功耗欠压锁定电路设计与实现
文献摘要：
集成电路的低功耗、高集成度已经成为发展趋势.传统的欠压锁定电路需要外部电路提供带隙基准电压和偏置电流,电路结构复杂;同时,当发生欠压锁定,关断芯片时,却要保证带隙基准电路始终正常工作,不利于芯片功耗的降低.针对传统欠压锁定电路结构的缺点,设计了一种基于三极管的欠压锁定电路,不需要外部电路提供基准电压和偏置电流,电路结构简单,响应速度快.基于三极管的欠压锁定电路的阈值受PVT影响较小,而且功耗低.基于0.18 μmBCD工艺进行了全面的仿真验证,结果表明,当电源电压下降时,电路在电源电压小于2.06 V时系统关闭,避免当电源电压过低时导致数字逻辑发生错误以及器件损坏;当电源电压上升时,电路在电源电压大 于2.38 V时系统重新启动.为避免芯片在欠压锁定阈值附近来回翻转,设计的欠压保护迟滞量为320 mV,防止误操作.在-40～85℃温度范围内欠压锁定阈值电压精度为1.36％,功耗仅为22 μW.
文献关键词：
欠压锁定;开关电源;基准电压;迟滞电压
中图分类号：
作者姓名：
曹喜涛;郭仲杰;韩晓;刘申;苏昌勖;李晨
作者机构：
西安理工大学自动化与信息工程学院,陕西西安710048
文献出处：
引用格式：
[1]曹喜涛;郭仲杰;韩晓;刘申;苏昌勖;李晨-.一种超低功耗欠压锁定电路设计与实现)[J].微电子学与计算机,2022(01):107-112
A类：
欠压锁定,迟滞电压
B类：
超低功耗,电路设计,集成电路,高集成度,外部电路,带隙基准,基准电压,偏置,电路结构,关断,断芯,片时,三极管,结构简单,响应速度快,PVT,mBCD,仿真验证,电源电压,下降时,压过,数字逻辑,发生错误,上升时,重新启动,近来,来回,欠压保护,mV,误操作,阈值电压,开关电源
AB值：
0.308057
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