典型文献
基于双电压和倍频技术的低功耗高效率发射机
文献摘要:
为了克服电池容量的局限性,延长芯片的待机时间,针对传统发射机的高功耗、低效率问题,提出新型发射机架构.采用2级注入锁定环形振荡器提供多相信号,电荷泵自举升压电路对该多相信号进行电压提升,实现低电压低功耗设计.边沿合成器对多相信号进行倍频,使前级电路工作在低频,降低系统功耗.基于55 nm CMOS工艺,设计433 MHz ISM频段发射机进行验证.仿真结果表明,发射机的输出功率为?9.7 dBm,环形振荡器和电荷泵自举升压电路工作在0.6 V电源电压下,边沿合成器工作在1.2 V电源电压下,发射机整体功耗为357.04μW,效率为29.83%,版图面积为70μm×100μm.实验结果证明,所提结构具有功耗低、效率高、面积小和复杂度低的优点.
文献关键词:
发射机;低功耗;低电压;自举升压;边沿合成;注入锁定
中图分类号:
作者姓名:
崔梦倩;宗培胜;魏国;王科平
作者机构:
天津大学 微电子学院,天津 300072;东南大学 信息科学与工程学院,江苏 南京 211189
文献出处:
引用格式:
[1]崔梦倩;宗培胜;魏国;王科平-.基于双电压和倍频技术的低功耗高效率发射机)[J].浙江大学学报(工学版),2022(07):1294-1301
A类:
自举升压,边沿合成
B类:
倍频,发射机,电池容量,待机时间,高功耗,低效率,效率问题,机架,注入锁定,环形振荡器,相信,电荷泵,升压电路,低电压,压低,低功耗设计,合成器,前级电路,CMOS,MHz,ISM,频段,输出功率,dBm,电源电压,版图,图面,有功
AB值:
0.274107
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