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TFT-LCD中电容对公共电压的影响
文献摘要：
为分析TFT-LCD线残像,研究了画面驱动数据电压通过电容(CDC)对公共电压的影响.首先根据实际膜层分布,描述电容在膜层的具体构成,并建立电路等效模型,测量并分析TFT-LCD实际工作状态的电容.然后,建立方法测试棋盘格画面公共电压畸变并分析其造成线残像的机理.最后,设置"黑灰条"画面使畸变量最大化以便于分析畸变的形成过程和影响因素.实验结果表明:TFT开关关闭时呈现高阻态,CDC仅为公共电压和数据电压金属线交叠电容(C0),电容值为55 fF;TFT完全打开时呈现低阻态,CDC由存储电容和C0并联构成,电容值为530 fF;当TFT处于中间态时,测试得到的电容值为中间值.电容值越大,数据电压转换速度越快,畸变量越大.降低转换速度(48 ns→53 ns),可减小畸变量(2.67 V→2.61 V).
文献关键词：
TFT-LCD;线残像;电容;公共电压
中图分类号：
作者姓名：
邱鑫茂;王巧妮;刘娜妮;刘耀;王宝强;谢鑫;涂婷婷
作者机构：
福州京东方光电科技有限公司,福建福州350300
文献出处：
引用格式：
[1]邱鑫茂;王巧妮;刘娜妮;刘耀;王宝强;谢鑫;涂婷婷-.TFT-LCD中电容对公共电压的影响)[J].液晶与显示,2022(03):351-357
A类：
线残像,残像,存储电容
B类：
TFT,LCD,公共电压,CDC,膜层,等效模型,工作状态,建立方法,棋盘格,电压畸变,黑灰,高阻态,金属线,交叠,C0,电容值,fF,开时,低阻,试得,中间值,换速,越快,ns
AB值：
0.274667
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