典型文献
氧化铜表面臭氧分解路径及表面氧物种生成机理研究
文献摘要：
基于密度泛函理论(DFT)计算研究了O3在完整和具有氧空位的CuO(111)表面吸附的吸附位、吸附结构、吸附能和电子转移情况,比较了O3在完整表面和具有氧空位的表面分解的路径和能垒,分析了氧空位和表面吸附氧的生成机理.结果表明,在完整CuO表面,O3分子通过化学吸附或物理吸附表面结合,吸附能最高为-1.22 eV(构型bri(2)).O3在具有氧空位的CuO表面均为化学吸附,吸附能最高为-2.95 eV(构型ovbri(3)),显著高于完整表面的吸附能.O3吸附后,Cu吸附位的电荷密度减小,O3中的O原子附近的电荷密度显著增强,电荷从CuO表面转移到O3,并形成Cu-O离子键.O3分解后形成了超氧物种,提高了表面的氧化活性.在完整表面,以构型bri(2)为起始构型的路径反应能垒最低,为0.52 eV;O2*在完整表面的脱附所需要的最低能量为0.42 eV,形成氧空位的O2*脱附能为2.06 eV.在具有氧空位的表面,O3分解的反应能垒为0.30 eV(构型ovbri(1))和0.12 eV(构型ovbri(3)),均低于完整表面的反应能垒;分解形成的O2*的最低脱附能也低于完整表面,为0.27 eV.可见,氧空位的形成提高了吸附能,降低了反应能垒,使O3分子更容易吸附在CuO表面,并加快了O3的催化分解.
文献关键词：
密度泛函理论;CuO;O3;反应机理
中图分类号：
作者姓名：
龚朋;刘璐;邵广才;王广钊;王军锋
作者机构：
江苏大学能源与动力工程学院,江苏镇江212013;长江师范学院电子信息工程学院超常配位键工程与新材料技术重庆市重点实验室,重庆408100
文献出处：
引用格式：
[1]龚朋;刘璐;邵广才;王广钊;王军锋-.氧化铜表面臭氧分解路径及表面氧物种生成机理研究)[J].分子催化,2022(03):199-206
A类：
bri,ovbri
B类：
氧化铜,臭氧分解,氧物种,生成机理,基于密度,密度泛函理论,DFT,O3,有氧,氧空位,CuO,表面吸附,吸附能,电子转移,移情,能垒,吸附氧,化学吸附,物理吸附,附表,eV,附后,电荷密度,离子键,氧化活性,O2,脱附,低能量,催化分解,反应机理
AB值：
0.241288
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