典型文献
不同浓度下V掺杂Mg2Si的第一性原理研究
文献摘要：
本文用基于密度泛函理论的超软赝势平面波方法,分别计算了四种V掺杂模型Mg2-xVxSi(x =0,0.25,0.5,0.75)的电子结构和光学性质,并对其能带图、态密度图和光学性质进行了分析.结果 表明,V掺杂之后会使Mg2Si由其原本的半导体性变为半金属性,在费米能级处出现了杂质能级,态密度图也显示V元素的3d轨道的贡献在费米能级附近占据主导地位,Mg2Si的光学性质随着V元素的掺入也发生了改变.该文为Mg2Si材料在电子器件和光学器件方面的应用提供了理论依据.
文献关键词：
Mg2Si;V掺杂;第一性原理;电子结构;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
梁前;谢泉;王熠欣;罗祥燕
作者机构：
贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025
文献出处：
引用格式：
[1]梁前;谢泉;王熠欣;罗祥燕-.不同浓度下V掺杂Mg2Si的第一性原理研究)[J].原子与分子物理学报,2022(03):111-117
A类：
xVxSi
B类：
Mg2Si,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,平面波,电子结构和光学性质,态密度,密度图,后会,半金属,金属性,费米能级,3d,掺入,电子器件,光学器件
AB值：
0.273477
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