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Ag-O共掺GaN纳米管的电子结构和p型特性第一性原理研究
文献摘要：
研究了本征GaN纳米管及Ag掺杂和Ag-O共掺纳米管的能带结构、电子态密度、差分电荷密度和重叠布居数.结果表明:Ag掺杂GaN和Ag-O共掺GaN体系均为p型掺杂,本征GaN纳米管的带隙为1.72 eV,Ag掺杂GaN纳米管的带隙为1.64 eV,Ag-O共掺GaN纳米管的带隙为1.16 eV,Ag-O共掺体系对带隙的调整最为显著.对比Ag掺杂GaN体系与Ag-O共掺GaN体系,前者中Ag原子在费米能级附近的态密度是局域化的;而在后者中,非局域化特征明显.在Ag-O共掺体系中,Ag和O相互吸引,以克服受主Ag原子的排斥作用,O原子可以有效降低共掺体系的能量,使Ag在GaN纳米管中更加稳定.Ag-O共掺GaN体系的空穴载流子迁移率大于Ag单掺GaN体系的.Ag-O共掺GaN体系更容易获得p型GaN纳米管材料.
文献关键词：
氮化镓(GaN);纳米管;共掺;p型特性;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
熊明姚;张锐;文杜林;苏欣
作者机构：
伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆伊宁 835000;伊犁师范大学新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆伊宁 835000
文献出处：
引用格式：
[1]熊明姚;张锐;文杜林;苏欣-.Ag-O共掺GaN纳米管的电子结构和p型特性第一性原理研究)[J].微纳电子技术,2022(05):410-416
A类：
B类：
Ag,共掺,GaN,纳米管,电子结构,第一性原理研究,管及,能带结构,电子态密度,差分电荷密度,布居数,带隙,eV,费米能级,局域化,非局域,空穴,载流子迁移率,管材料,氮化镓
AB值：
0.219256
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