典型文献
具有复合最后一层势垒的AlGaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究
文献摘要：
本文研究了AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED),其由常规未掺杂的最后一层量子势垒(u-LQB)和p型掺Mg最后一层量子势垒(p-LQB)复合而成最后一层量子势垒(CLQB).研究结果表明,通过插入p-LQB并形成具有精心优化的Mg掺杂水平的CLQB,可显著提高DUV-LED的光输出功率.基于此成果,使用优化的Mg掺入量成功制备了输出功率较高的DUV-LED,在40 mA的注入电流下,与未插入p-LQB的样品相比,DUV-LED的光输出功率增加了约30％.而且,电致发光和光致发光谱表征结果表明,DUV-LED光输出功率获得显著改善的主要原因在于电子泄漏的减少和CLQB的采用所引起的空穴注入效率的提高.
文献关键词：
深紫外发光二极管;复合最后一层量子势垒;光输出功率;Mg掺杂;金属有机物化学气相沉积
中图分类号：
作者姓名：
张雄;陆亮;崔一平
作者机构：
东南大学 电子科学与工程学院先进光子学中心,江苏南京210096
文献出处：
引用格式：
[1]张雄;陆亮;崔一平-.具有复合最后一层势垒的AlGaN基深紫外发光二极管的制备及特性研究)[J].安庆师范大学学报（自然科学版）,2022(03):1-6
A类：
LQB,CLQB,复合最后一层量子势垒
B类：
AlGaN,深紫外发光二极管,DUV,LED,Mg,光输出功率,使用优化,掺入量,功率较,mA,流下,品相,电致发光,光致发光谱,光谱表征,电子泄漏,空穴注入效率,金属有机物化学气相沉积
AB值：
0.180201
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
