典型文献
密度泛函理论研究ZnGeP2晶体中缺陷的稳定性及迁移机制
文献摘要：
ZnGeP2晶体是3-5 μm中红外激光输出的最好频率转换材料,可实现激光器的全固态化和大功率输出.但在8-12 μm处由于本证缺陷导致的吸收带与光参量振荡器的抽运波长交叠,限制了光参量振荡器的应用性能,使其无法实现远红外激光输出.本论文采用密度泛函理论讨论了 ZnGeP2晶体6种缺陷结构的形成能与缺陷迁移机制.结果表明VP和VGe两种缺陷结构较难形成,VZn-,ZnGe,GeZn+和GeZn+VZn四种缺陷容易形成.当Ge原子微富余Zn原子,温度为10 K,500 K和600 K时,VZn-形成能小于GeZn+,当温度为273 K和400 K时,GeZn+形成能小于VZn-.晶体的体积膨胀率与缺陷形成能的关系为负相关,即晶体体积膨胀率越大,缺陷形成能越低.差分电荷密度分析显示GeZn和VZn+GeZn两种缺陷结构中原子间电子云密度增强,空位缺陷(VZn和VGe)与反位缺陷(GeZn和ZnGe)结合形成联合缺陷后,空位缺陷格点处电子云密度增强.当温度为10 K时,ZnGeP2晶体的吸收光谱显示VGe,VZn,ZnGe和GeZn四种缺陷结构在0.6-2.5 μm有较明显吸收.VZn的迁移能最低,VGe迁移能最高.VP在迁移过程中迁移能与空间位阻有关,而VGe和VZn的迁移能与原子间距离有关.
文献关键词：
缺陷结构;光学性能;ZnGeP2;中远红外晶体
中图分类号：
作者姓名：
马天慧;雷作涛;张晓萌;付秋月;布和巴特尔;朱崇强;杨春晖
作者机构：
黑龙江工程学院材料与化学工程学院,哈尔滨 150050;哈尔滨工业大学化工与化学学院,哈尔滨 150001
文献出处：
引用格式：
[1]马天慧;雷作涛;张晓萌;付秋月;布和巴特尔;朱崇强;杨春晖-.密度泛函理论研究ZnGeP2晶体中缺陷的稳定性及迁移机制)[J].物理学报,2022(22):249-258
A类：
VGe,ZnGe,GeZn+,GeZn+VZn,GeZn,VZn+GeZn,中远红外晶体
B类：
密度泛函理论,ZnGeP2,迁移机制,中红外激光,激光输出,频率转换,激光器,全固态,大功率,功率输出,光参量振荡器,抽运,交叠,应用性能,本论,缺陷结构,VP,富余,体积膨胀率,缺陷形成能,差分电荷密度,密度分析,原子间,电子云密度,空位缺陷,反位缺陷,格点,吸收光谱,迁移过程,空间位阻,光学性能
AB值：
0.21396
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