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ZrSe3纳米带的光电性能
文献摘要：
近年来,基于层状材料的光电探测器由于其独特的光电性能和巨大的应用潜力而备受关注.本文通过机械剥离单晶的方法获得了ZrSe3纳米带,并对其光电性能进行了研究.实验发现,ZrSe3纳米带在405 nm和980 nm波长下具有良好的光电响应.在偏置电压为5 V时,405 nm激光照射下的响应时间低于0.03 s,而980 nm激光照射下的响应时间也可以达到0.45s.结果表明,基于ZrSe3纳米带的光电探测器在可见光到近红外光范围内具有一定的应用潜力.
文献关键词：
ZrSe3;光电性能;光电探测器
中图分类号：
作者姓名：
万家捷
作者机构：
西南大学,重庆 400715
文献出处：
引用格式：
[1]万家捷-.ZrSe3纳米带的光电性能)[J].科学技术创新,2022(06):38-41
A类：
ZrSe3
B类：
纳米带,光电性能,层状材料,光电探测器,机械剥离,单晶,光电响应,偏置电压,激光照射,射下,响应时间,45s,可见光,近红外光
AB值：
0.2272
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