典型文献
Fe、Sb掺杂GaAs电子结构和光学性质的第一性原理研究
文献摘要：
基于密度泛函理论,计算研究了Fe、Sb掺杂前后GaAs体系的电子结构和光学性质.计算结果表明:掺杂使体系发生了晶格畸变,在掺杂后的体系中,Fe掺杂GaAs的结合能最小,因此该体系稳定性最强;与纯GaAs体系相比,掺杂后的体系禁带宽度均减小,其中Fe-Sb共掺GaAs体系的禁带宽度最小,说明该体系电子跃迁所需的能量最少;掺杂后体系的静介电常数均增大,体系的极化程度得到了提升,且吸收光谱均向低能区域移动,拓展了对可见光的响应范围;其中,Fe掺杂GaAs发生的红移现象最明显且静介电常数最大,因此Fe元素掺杂对GaAs体系的改性效果最显著,同时也证明了掺杂是调控体系性质的有效手段之一.
文献关键词：
GaAs;电子结构;光学性质;第一性原理
中图分类号：
作者姓名：
郭思嘉;王晓东;于宪省;苏尔琴;李梦娜;赵旭才;雷博程;张丽丽
作者机构：
伊犁师范大学物理科学与技术学院,新疆凝聚态相变与微结构实验室,新疆伊宁 835000
文献出处：
引用格式：
[1]郭思嘉;王晓东;于宪省;苏尔琴;李梦娜;赵旭才;雷博程;张丽丽-.Fe、Sb掺杂GaAs电子结构和光学性质的第一性原理研究)[J].伊犁师范大学学报（自然科学版）,2022(04):24-31
A类：
B类：
Sb,GaAs,电子结构和光学性质,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,晶格畸变,结合能,禁带宽度,共掺,跃迁,后体,介电常数,吸收光谱,可见光,响应范围,红移,元素掺杂,改性效果,调控体系,体系性
AB值：
0.282199
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
