典型文献
直流偏置对射频容性耦合放电特性的影响
文献摘要：
直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma,RF-CCP)表面充电效应,但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确,电源对参量控制复杂等问题.构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型,在射频源基础上施加负直流源,研究直流偏置对RF-CCP放电特性影响,并比较射频与直流偏置对放电参量影响差异.结果表明,无直流源时,周期平均电子密度Ne,ave,周期平均电子温度Te,ave均为对称分布,Ne,ave呈现两端小、中间大的凸函数分布,Te,ave在距极板4 mm以内鞘层区均有陡然上升,极大值出现在距极板1 mm左右处;直流源会使等离子体主体区Ne,ave升高并发生偏移,直流源侧Ne,ave降低,对侧Ne,ave增加,且对侧增加速率较快.直流偏置可改善单侧电子温度与电子通量,但提高电子密度能力弱于射频源.实际工程中,若欲提高单侧电子温度与电子通量,应施加直流源,若提高整体电子密度,应提高射频源功率.
文献关键词：
容性耦合等离子体;射频;数值模拟;放电特性
中图分类号：
作者姓名：
邓华宇;罗日成;阳冠菲;冯健;刘鹏;闫瑾;钟焱
作者机构：
长沙理工大学电气与信息工程学院, 湖南长沙410004
文献出处：
引用格式：
[1]邓华宇;罗日成;阳冠菲;冯健;刘鹏;闫瑾;钟焱-.直流偏置对射频容性耦合放电特性的影响)[J].气体物理,2022(03):87-92
A类：
容性耦合等离子体
B类：
直流偏置,对射,容性耦合放电,放电特性,radio,frequency,capacitively,coupled,plasma,RF,CCP,表面充电,充电效应,电参量,直流源,射频源,板结构,影响差异,电子密度,Ne,ave,电子温度,Te,对称分布,凸函数,极板,鞘层,陡然,极大值,高并发,对侧,高射
AB值：
0.267399
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
