典型文献
元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响
文献摘要：
基于密度泛函理论的VASP(Vienna ab-initio simulation package)软件包计算5种金属和非金属掺杂对二维Ga2 O2晶体结构和电子性质的影响.结果表明:掺杂B,C,Mg,Si,P元素可使晶体结构发生改变,并改变掺杂体系的电子性质;与本征Ga2 O2晶体相比,这几种掺杂元素体系的带隙均减小,这是由于掺杂原子与近邻原子间电荷重新分布所致.
文献关键词：
密度泛函理论;掺杂;能带结构;态密度
中图分类号：
作者姓名：
邵立;谭雪卿;李艳;耶红刚
作者机构：
郑州航空工业管理学院 材料学院,郑州 450015;西安交通大学 应用物理系,西安 710049
文献出处：
引用格式：
[1]邵立;谭雪卿;李艳;耶红刚-.元素掺杂对二维Ga2O2电子性质的影响)[J].吉林大学学报（理学版）,2022(02):445-449
A类：
Ga2O2
B类：
元素掺杂,电子性质,基于密度,密度泛函理论,VASP,Vienna,ab,initio,simulation,package,软件包,非金属掺杂,晶体结构,Mg,Si,掺杂元素,素体,带隙,杂原子,近邻,原子间,电荷,荷重,新分布,能带结构,态密度
AB值：
0.502128
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