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基于标准CMOS工艺的光电浮栅突触研究
文献摘要：
作为神经形态视觉感知系统的基本单元,光电突触需实现光敏和突触双重功能.本文基于TSMC 180 nm标准CMOS工艺提出了一种由两个PMOS晶体管构建的光电浮栅突触结构,并利用浮栅电压表征突触权重.其中,一个PMOS管工作在光电混合模式,在光信号和电信号的刺激下,突触的浮栅电压分别呈现增加和降低特性,以此实现突触的兴奋性和抑制性功能;另一个PMOS管工作在隧穿模式,并通过Fowler-Nordheim(FN)隧穿机制修正突触权重.基于光电浮栅突触的电路模型,设计了用于像素识别的单元电路,搭建了3×3的像素阵列,并分析了无噪声和有噪声两种情形下的二值图像"+"识别.仿真结果表明,在基础光强为0 mW/cm2和75 mW/cm2的无噪情形和引入0.5 mW/cm2噪声的有噪情形下,所设计的光电浮栅突触均可实现二值图像识别,并具有一定的抗噪声能力.
文献关键词：
神经形态计算;CMOS;光电突触;浮栅;突触权重
中图分类号：
作者姓名：
谢生;高旭斌;毛陆虹
作者机构：
天津大学微电子学院,天津 300072;天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津 300072;天津大学电气自动化与信息工程学院,天津 300072
文献出处：
引用格式：
[1]谢生;高旭斌;毛陆虹-.基于标准CMOS工艺的光电浮栅突触研究)[J].天津大学学报（自然科学与工程技术版）,2022(07):701-705
A类：
B类：
CMOS,浮栅,视觉感知,感知系统,基本单元,光电突触,光敏,TSMC,PMOS,晶体管,电压表,突触权重,管工,混合模式,光信号,电信号,压分,兴奋性,抑制性,性功能,Fowler,Nordheim,FN,电路模型,像素识别,二值图像,mW,图像识别,抗噪声能力,神经形态计算
AB值：
0.344244
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