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基于单颗磨粒划切试验的SiCp/Al复合材料表面去除机理研究
文献摘要：
碳化硅颗粒增强铝基(SiCp/Al)复合材料中含有不规则碳化硅颗粒使得材料内部形成大量非理想截面,为材料表面的有效去除带来困难.为了揭示材料去除机理,进行SiCp/Al复合材料单颗磨粒变切深划切的表面去除仿真分析和试验验证.研究结果表明,界面破坏对表面创成有重要影响,存在铝合金基体撕裂、界面分离,碳化硅颗粒裸露、裂纹扩展、破碎脱落、压入铝合金基体、碎片滑擦材料表面等去除过程,碳化硅颗粒中部大面积破碎脱落形成凹坑,并在刀具推挤作用下对材料进行二次切削,使铝合金基体表面形成非连续裂纹.SiCp/Al复合材料中由于铝合金基体的存在,实际划切深度小于名义切削深度.研究可以为SiCp/Al复合材料去除机理与加工研究提供一定借鉴.
文献关键词：
SiCp/Al复合材料;单颗磨粒划切试验;缺陷形成机理;划切仿真;凹坑;裂纹
中图分类号：
作者姓名：
张红哲;张旭;朱晓春;鲍永杰
作者机构：
大连理工大学 工程训练中心,辽宁 大连 116023;大连海事大学 轮机工程学院,辽宁 大连 116026
文献出处：
引用格式：
[1]张红哲;张旭;朱晓春;鲍永杰-.基于单颗磨粒划切试验的SiCp/Al复合材料表面去除机理研究)[J].浙江大学学报（工学版）,2022(02):388-397
A类：
单颗磨粒划切试验,划切仿真
B类：
SiCp,碳化硅,颗粒增强,材料去除机理,料单,切深,界面破坏,表面创成,铝合金,撕裂,裸露,裂纹扩展,除过,凹坑,刀具,推挤,非连续,名义,切削深度,加工研究,缺陷形成机理
AB值：
0.240135
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