典型文献
硅粉氮化输送床内气固反应过程数值模拟
文献摘要：
以单个硅颗粒氮化反应缩核模型为基础,本文建立了硅颗粒在输送床内反应、辐射与对流传热耦合的数学模型,并借助CFD软件FLUENT对输送床内能质传输过程进行了数值模拟,分析了输送床壁面温度、氮气流量、预热温度、硅粉粒径等因素对输送床内温度场和硅粉氮化率的影响.在数值计算域内将单个颗粒反应过程转化为颗粒群整体反应过程,实时监测颗粒粒径及未反应硅颗粒粒径,为数值模拟颗粒流反应提供一种新思路.当壁面温度高于1723K时,输送床内会出现一高温区加速硅粉氮化反应;反应温度越高、颗粒粒径越小,氮化过程越剧烈,硅粉到达完全氮化所需时间越短.模型表明为使粒径为2.5μm的硅粉达到完全氮化且输送床内最高温度不超过氮化硅的分解温度2173K,应控制输送床壁面温度在1773K,氮化时间在170s以上,预热温度在1273K,粉气质量比为0.2,稀释剂比例为0.5～1.
文献关键词：
氮化硅;能质传输;颗粒流;数值模拟;流态化;直接氮化;输送床
中图分类号：
作者姓名：
尹少武;张朝;康鹏;韩嘉维;王立
作者机构：
北京科技大学能源与环境工程学院,北京100083;北京科技大学冶金工业节能减排北京市重点实验室,北京100083
文献出处：
引用格式：
[1]尹少武;张朝;康鹏;韩嘉维;王立-.硅粉氮化输送床内气固反应过程数值模拟)[J].化工进展,2022(05):2256-2267
A类：
输送床,能质传输,1723K,2173K,1773K,稀释剂比例
B类：
硅粉,气固反应,反应过程,缩核模型,辐射与对流,对流传热,热耦合,CFD,FLUENT,内能,输过,壁面温度,氮气流量,预热温度,粉粒,计算域,颗粒群,颗粒粒径,颗粒流,温度高,高温区,反应温度,越剧,全氮,越短,明为,最高温度,氮化硅,分解温度,170s,1273K,流态化,直接氮化
AB值：
0.28764
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