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氮化硅粉体制备技术及粉体质量研究进展
文献摘要：
氮化硅(Si3N4)具有优异的物化性能,在国防、电子信息等关键领域都占据重要的地位.高质量粉体是制备高性能Si3N4陶瓷的首要前提.通常高质量Si3N4粉体需要满足粒径细、分布窄、α相含量高、杂质含量低等条件.基于合成反应体系综述了当前国内外制备Si3N4粉体的方法,着重从强化传热与传质角度介绍了改善粉体质量的研究进展,并介绍了当前工业生产现状,展望了高质量Si3N4粉体制备技术的发展趋势和方向.
文献关键词：
氮化硅;粉体技术;碳热氮化法;硅粉直接氮化法;化学气相沉积法;硅胺前体转化法;合成机理
中图分类号：
作者姓名：
向茂乔;耿玉琦;朱庆山
作者机构：
中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室,北京100190;中国科学院大学化学工程学院,北京100049
文献出处：
引用格式：
[1]向茂乔;耿玉琦;朱庆山-.氮化硅粉体制备技术及粉体质量研究进展)[J].化工学报,2022(01):73-84
A类：
粉体技术,碳热氮化法,硅粉直接氮化,硅粉直接氮化法,直接氮化法,硅胺前体转化法
B类：
氮化硅,粉体制备,制备技术,质量研究,Si3N4,物化性能,电子信息,关键领域,需要满足,相含量,杂质含量,合成反应,反应体系,系综,内外制,强化传热,传热与传质,生产现状,化学气相沉积法,合成机理
AB值：
0.262299
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