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双迷宫型通道Helmholtz周期结构的低频带隙机理及隔声特性
文献摘要：
为了解决飞机舱室中的低频噪声问题,本文设计了一种双迷宫型通道的Helmholtz周期结构.迷宫型开口通道的设计能够大大增加Helmholtz腔开口通道的长度,有效降低低频带隙下限,双通道的设计能够增加声子晶体局域共振的区域,可以增加低频带隙数目.本文采用有限元法(FEM)得到了该结构在0～500 Hz频率范围内的能带结构及隔声特性,经过深入研究发现,该Helmholtz周期结构在0～500 Hz范围内存在多个低频带隙,且在低频范围内表现出较好的隔声特性.为了揭示其带隙产生机理,本文通过声-电类比方法建立了该结构的等效电路模型,并通过有限元法和等效电路模型,对低频带隙影响因素进行了详细分析.结果表明,增加开口通道的长度能够降低带隙起始频率,较小的晶格常数有利于拓宽带隙宽度.本文的研究进一步探索了声子晶体结构设计对带隙的影响,为解决飞机舱室的低频降噪问题提供了新方法.
文献关键词：
声子晶体;带隙;Helmholtz腔;隔声特性;有限元法;声-电类比;低频;飞机舱室
中图分类号：
作者姓名：
韩东海;张广军;赵静波;胡培洲;姚宏;刘红
作者机构：
空军工程大学基础部,西安 710051;空军工程大学航空工程学院,西安 710038
文献出处：
引用格式：
[1]韩东海;张广军;赵静波;胡培洲;姚宏;刘红-.双迷宫型通道Helmholtz周期结构的低频带隙机理及隔声特性)[J].人工晶体学报,2022(07):1212-1219
A类：
飞机舱室
B类：
迷宫,Helmholtz,周期结构,低频带隙,带隙机理,隔声特性,低频噪声,噪声问题,大大增加,下限,双通道,声子晶体,局域共振,有限元法,FEM,能带结构,产生机理,类比方法,等效电路模型,加开,晶格常数,宽带,带隙宽度,晶体结构,降噪
AB值：
0.228433
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