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利用离子激发发光研究低温条件下ZnO发光行为
文献摘要：
离子激发发光(Ions beam induced luminescence,IBIL)可以实时原位分析不同温度、不同离子辐照条件下材料内部点缺陷的演变行为.本文利用2 MeV H+研究了300,200,100 K温度下ZnO单晶内部点缺陷发光及其随注量的演变行为.实验中发现ZnO深能级发射和近带边发射,结合Voigt分峰与XPS实验结果,确定红光(1.75 eV)与VZn相关,橙红光(1.95 eV)来自Zni到Oi跃迁;对于与VO相关的绿光(2.10 eV),其红移可能由于温度降低导致更多电子由导带释放到Zni.峰中心位于3.10 eV和3.20 eV近带边发射分别来自于Zni到价带的跃迁和激子复合,红移原因分别为Zni附近局域化能级和带隙收缩.利用单指数公式对发光强度进行拟合,获得的衰减速率常数(f)可以表征缺陷的辐射硬度,对比发现深能级发射峰在200 K时辐射硬度最大,而近带边发射峰在300 K时辐射硬度最大.
文献关键词：
离子激发发光;温度;点缺陷;ZnO
中图分类号：
作者姓名：
赵国强;张金福;王广甫;仇猛淋;王庭顺;华青松
作者机构：
北京师范大学核科学与技术学院 射线束教育部重点实验室, 北京 100875;北京市辐射中心, 北京 100875
文献出处：
引用格式：
[1]赵国强;张金福;王广甫;仇猛淋;王庭顺;华青松-.利用离子激发发光研究低温条件下ZnO发光行为)[J].发光学报,2022(02):226-237
A类：
离子激发发光,Zni
B类：
低温条件,ZnO,发光行为,Ions,beam,induced,luminescence,IBIL,原位分析,同离子,离子辐照,点缺陷,演变行为,MeV,H+,单晶,能级,Voigt,XPS,红光,VZn,橙红,Oi,跃迁,VO,绿光,红移,导带,放到,价带,激子,局域化,带隙,单指数,发光强度,衰减速率,速率常数
AB值：
0.453682
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