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准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的THz光谱
文献摘要：
准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3兼具窄的半导体带隙和铁磁性质,在自旋电子学和光电子学等领域具有广阔的应用前景,近年来受到国内外研究人员的广泛关注.本文利用傅里叶红外光谱得到CrGeTe3间接带隙的大小,并采用超快太赫兹光谱(太赫兹时域光谱和光泵浦-太赫兹探测光谱)研究了准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的相关性质.结果表明,准二维CrGeTe3的间接带隙大小为0.38 eV;在1 THz附近的折射率约为3.2,吸收系数约为380 cm–1;780 nm激光泵浦后的光载流子符合双指数弛豫过程,存在快慢两个寿命,由电子-空穴对的复合主导,复光电导率的Drude-Smith模型拟合展示了微观系统的相关参量随时间的演化.本文主要展示了CrGeTe3在太赫兹波段的光谱及其相关性质,对光电子学等领域的研究具有借鉴意义.
文献关键词：
范德瓦耳斯铁磁半导体;时间分辨光谱;太赫兹光谱
中图分类号：
作者姓名：
王晨;夏威;索鹏;王伟;林贤;郭艳峰;马国宏
作者机构：
上海大学物理系,上海 200444;上海科技大学物质科学与技术学院,上海 201210;上海科技大学-上海光机所超强超快联合实验室,上海 201210
文献出处：
引用格式：
[1]王晨;夏威;索鹏;王伟;林贤;郭艳峰;马国宏-.准二维范德瓦耳斯本征铁磁半导体CrGeTe3的THz光谱)[J].物理学报,2022(23):362-368
A类：
CrGeTe3,范德瓦耳斯铁磁半导体
B类：
准二维,THz,带隙,铁磁性,磁性质,自旋电子学,光电子学,傅里叶红外光谱,超快,太赫兹光谱,太赫兹时域光谱,光泵浦,太赫兹探测,测光,eV,折射率,吸收系数,载流子,双指数,弛豫过程,快慢,空穴,光电导率,Drude,Smith,模型拟合,参量,太赫兹波段,时间分辨光谱
AB值：
0.275654
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