典型文献
脉冲调制射频大气压SiH4/He/O2放电数值模拟研究
文献摘要：
大气压等离子体放电由于设备简单,生产成本低,一直被广泛用于二氧化硅薄膜沉积中.较其他形式的放电,大气压脉冲放电由于其稳定、高效等特点在近年来引起了人们的广泛关注.为了更深入了解其反应机理,本文利用二维流体力学模型对脉冲调制射频大气压SiH4/He/O2的放电过程进行了研究,重点关注了脉冲放电中占空比与调制频率对等离子体的影响.结果表明:在平均功率相同的条件下,占空比对薄膜的沉积速率和质量具有重要影响.具体表现为,随着占空比减小,反应腔中各粒子密度均呈现出增加的趋势,且当占空比为0.4时,SiO2密度约为1014 cm-3,高于连续放电三个数量级;同时电场对负离子的约束作用也随着占空比的减小而减弱,导致大量的负离子流向极板,形成了对薄膜的性能有益的负离子流;另外适当降低占空比还可以改善薄膜的均匀性.值得注意的是,适当降低调制频率也可以在不影响薄膜均匀性的情况下,提高薄膜沉积速率、改善薄膜附着性能,但其影响不如占空比显著.
文献关键词：
脉冲调制;薄膜沉积;SiH4/He/O2放电;数值模拟
中图分类号：
作者姓名：
张茜;刘相梅
作者机构：
齐齐哈尔大学理学院 齐齐哈尔161006
文献出处：
引用格式：
[1]张茜;刘相梅-.脉冲调制射频大气压SiH4/He/O2放电数值模拟研究)[J].真空科学与技术学报,2022(12):927-936
A类：
大气压等离子体放电
B类：
脉冲调制,SiH4,He,数值模拟研究,二氧化硅薄膜,薄膜沉积,脉冲放电,反应机理,流体力学,放电过程,平均功率,沉积速率,各粒,SiO2,于连,数量级,负离子,离子流,极板,低占空比,值得注意,低调,薄膜均匀性,附着性能
AB值：
0.250727
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